本文摘要:作者:说明GaN在江威681、光电子及微电子领域的前景有很大的应用,但由于缺乏大型衬里,无法在其他衬底上展开异质外延增长。

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作者:说明GaN在江威681、光电子及微电子领域的前景有很大的应用,但由于缺乏大型衬里,无法在其他衬底上展开异质外延增长。在多种生长技术中,MOCVD最常用,GaN薄膜生长过程中,基板温度、微波功率、生长时间、气体流量等各生长参数对最终构成的晶体质量有着相当大的影响。GaN薄膜的生长是拒绝最佳生长工艺,这需要保证过程的重复性,因此需要使用自动监测系统对整个生长过程进行动态监测。

光学监测系统在GaN外延过程中,利用芯片的反射率和温度获取动态信息。该监测系统与MOCVD系统集成,可以获得外延增长的所有数据和分析数据。为了获得更好的信息,需要开发双波长监控系统。通过633纳米和950纳米双波长测量,可以计算出外延增长率、化合物组成、粗糙度和芯片表面状态等多种特性。

它们不能用单个波长做,另外可以选择405纳米波长,从而更准确地获得增长缓冲层前面的晶格再平衡和量子阱层的更好信息。2、温度如何在外延过程中准确控制外延生长的温度是最重要的。

该参数会影响量子阱中铟的含量,内容量不会引起LED波长的位移。过去反应腔的设计大部分是用热点耦合或高温计在后面测量温度。虽然注意到了外延生长过程中温度的变化,但实际上测量了晶片表面温度的一些差异。这是因为上层石英板与厚度不同的覆盖面积和载体扭矩不同,如果不能测量实际温度,就不能取得好的结果。

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3.翘曲度目前在GaN量产的MOCVD中主要为2蓝宝石衬里,以后的趋势不会发展到大直径,但由于材料晶格不确定而产生的倾斜效果会在衬里从2变成大直径时产生一些影响,中心和边缘温差会随着量子阱生长时温差而导致成品率上升,利用蓝宝石衬里中GaN的热膨胀系数的差异计算不同的变形结构,再加上激光射线来测量外延生长过程中芯片的翘曲对洋山市芯片的翘曲进行动态监测是最重要的,多层量子阱对温度非常脆弱,在外延生长过程中要非常准确地控制。虽然2芯片的翘曲程度比较小,但仍有后遗症,假设长层量子阱结构的LED时尖曲率为20km-1,则不会产生2nm波长的误差,4基板不会有8nm波长的误差。如果2芯片扭曲到10公里-1,就不会产生3%的完成率。

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(阿尔伯特爱因斯坦,Northern Exposure(美国电视电视剧),创作)4、窗户材料其他测量系统的光学窗口对测量结果也有相当大的影响,窗户材料需要适当的测量所需的拒绝(如几何尺寸、材料等),窗户应能反映最佳的测量效果。窗户直径必须足够大,以便入射光和反射光能够通过。入射角、样本距离、光束角度和光束直径要求窗口大小。

对于工作时间长的光学检测系统,窗口直径可能小,样品旋转不会引起光束偏差,因此要使用小窗口。大多数商用MOCVD系统通常有足够的2直径。

窗户材料必须在光谱范围200-800nm内半透明,材料不仅吸光亲和率低,反射率低,折射率低的材料反射率低。另一个重要问题是窗户内部表面的材料沉积,不会减少任何沉积透明度(特别是紫外线范围内),也不会影响测试效果。

另外,在不造成沉积衍射损失的情况下,削弱测量信号,要大幅度通风以避免沉积窗口,一般用于氮气,在窗口通风时要使通风和炉体反应气体的流动均匀,任何通风引起的反应器流都不能流入或流入,MBE系统除外,MOCVD系统不能使用冷却来避免沉积,冷却(和非屏蔽)窗口与光学传感系统非常相似,加热器的电磁辐射导致测量误差特别是,要明确指出,防止光被涂层的窗户是在小波长范围内工作的,而不是整个光谱内工作,因此完全不推荐使用。(威廉莎士比亚、windows、windows)()(原文链接:http://blog . ofweek.com/jiangwei 68/diary detail)。

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